8位16進(jìn)制，每兩位一組，比如：00-12-3F-0C-CB-5B。你也可以在電腦上運(yùn)行cmd，輸入ipconfig /all查看自己的網(wǎng)絡(luò)信息。

你說的是芯片組命名規(guī)則吧! Intel芯片組 一、從845系列到915系列以前 PE是主流版本，無集成顯卡，支持當(dāng)時(shí)主流的FSB和內(nèi)存，支持AGP插槽。 E并非簡化版本，而應(yīng)該是進(jìn)化版本，比較特殊的是，帶E后綴的只有845E這一款，其相對(duì)于845D是增加了533MHz　FSB支持，而相對(duì)于845G之類則是增加了對(duì)ECC內(nèi)存的支持，所以845E常用于入門級(jí)服務(wù)器。 G是主流的集成顯卡的芯片組，而且支持AGP插槽，其余參數(shù)與PE類似。 GV和GL則是集成顯卡的簡化版芯片組，并不支持AGP插槽，其余參數(shù)GV則與G相同，GL則有所縮水。 GE相對(duì)于G則是集成顯卡的進(jìn)化版芯片組，同樣支持AGP插槽。 P有兩種情況，一種是增強(qiáng)版，例如875P；另一種則是簡化版，例如865P 二、915系列及之后 P是主流版本，無集成顯卡，支持當(dāng)時(shí)主流的FSB和內(nèi)存，支持PCI-E　X16插槽。 PL相對(duì)于P則是簡化版本，在支持的FSB和內(nèi)存上有所縮水，無集成顯卡，但同樣支持PCI-E　X16。 G是主流的集成顯卡芯片組，而且支持PCI-E　X16插槽，其余參數(shù)與P類似。 GV和GL則是集成顯卡的簡化版芯片組，并不支持PCI-E　X16插槽，其余參數(shù)GV則與G相同，GL則有所縮水。 X和XE相對(duì)于P則是增強(qiáng)版本，無集成顯卡，支持PCI-E　X16插槽。 總的說來，Intel芯片組的命名方式?jīng)]有什么嚴(yán)格的規(guī)則，但大致上就是上述情況。另外，Intel芯片組的命名方式可能發(fā)生變化，取消后綴，而采用前綴方式，例如P965和Q965等等。 三、965系列之后 從965系列芯片組開始，Intel改變了芯片組的命名方法，將代表芯片組功能的字母從后綴改為前綴，并且針對(duì)不同的用戶群體進(jìn)行了細(xì)分，例如P965、G965、Q965和Q963等等。 P是面向個(gè)人用戶的主流芯片組版本，無集成顯卡，支持當(dāng)時(shí)主流的FSB和內(nèi)存，支持PCI-E　X16插槽。 G是面向個(gè)人用戶的主流的集成顯卡芯片組，而且支持PCI-E　X16插槽，其余參數(shù)與P類似。 Q則是面向商業(yè)用戶的企業(yè)級(jí)臺(tái)式機(jī)芯片組，具有與G類似的集成顯卡，并且除了具有G的所有功能之外，還具有面向商業(yè)用戶的特殊功能，例如Active Management Technology(主動(dòng)管理技術(shù))等等。 另外，在功能前綴相同的情況下，以后面的數(shù)字來區(qū)分性能，數(shù)字低的就表示在所支持的內(nèi)存或FSB方面有所簡化。例如Q963與Q965相比，前者就僅僅只支持DDR2 667。 現(xiàn)在最新的X58,P45等的命名跟上面的也差不多! AMD芯片組 AMD收購ATI后芯片組會(huì)以“AMD+芯片組數(shù)字+種類定位”命名 根據(jù)AMD-ATI的規(guī)劃，新的芯片組將從高至低分為X系列、T系列、G系列和V系列四類。X系列即支持一板雙卡Crossfire技術(shù)的高階芯片組，而T系列則為普通單卡高階芯片，G系列為主流芯片，V系列為Value級(jí)別用戶使用的芯片。

人們在20世紀(jì)80年代末、90年代初發(fā)現(xiàn)用具有石墨結(jié)構(gòu)的碳材料取金屬鋰負(fù)極。正極則采用鋰與過渡金屬的復(fù)合氧化物如氧化鈷鋰LiCoQ2。這樣構(gòu)成的充電電池體系可能成功地解決以金屬鋰或其合金為負(fù)極的鋰二次電池存在的安全隱患，并且在能量密度上高于以前的充放電電池。同時(shí)由于金屬鋰與石墨化碳材料形成的插入化合物（intercalation compound）LiC6 的電位與金屬鋰的電位相關(guān)不到0.5V,因此電壓損失不大。在充電過程中，鋰插入到石墨的層狀結(jié)構(gòu)中，放電時(shí)從層狀結(jié)構(gòu)中跑出來，該過程可逆性很好，所組成的鋰二次電池體系的循環(huán)性能非常優(yōu)良。另處，碳材料便宜，沒有毒性且處于放電狀態(tài)時(shí)在空氣中比較穩(wěn)定。這樣一方面避免使用活潑的金屬鋰，另一方面避免枝晶的產(chǎn)生，明顯改善循環(huán)壽命，從根本上解決了安全問題。因此在1991年該二次電池實(shí)現(xiàn)了商品化。
按照經(jīng)典的電化學(xué)命名規(guī)則，充電電池的命名應(yīng)該是正極在前而負(fù)極在后，這樣該電池體系應(yīng)該命名為“氧化鈷鋰-石墨充電電池”。但是對(duì)于普通老百姓而言不容易記住，因此應(yīng)該有簡單的名字。由于充放電過程是通過鋰離子的移動(dòng)實(shí)現(xiàn)的，因此人們便將其稱之為“鋰離子電池”。對(duì)于該電池體系的命名而言，不應(yīng)該求全責(zé)備，因?yàn)閱螐拿稚喜豢赡軐?duì)其性質(zhì)有所了解。
你問的是這個(gè)嗎?

遵循了由高至低命名規(guī)則，GTX > GTS > GT > GS。
GTX： 一般可以理解為GT eXtreme，代表了極端、極致的意思，用于nVIDIA最高級(jí)別的型號(hào)，如8800GTX和最新的9800GTX，都采用了GTX的后綴。
GTS： 超級(jí)加強(qiáng)版 “Giga-Texel Shader”的縮寫，千萬像素的意思，也就是每秒的像素填充率達(dá)到千萬以上。GTS最早出現(xiàn)在Geforce2產(chǎn)品中，代表當(dāng)時(shí)的最高端的Geforce2。而現(xiàn)在一般用于表示GTX的縮減版，級(jí)別在GTX之后，如8800GTS。
GT： 頻率提升版本"GeForce Technoloty"的縮寫，級(jí)別低于GTS，也是廣為用戶群體所接受的產(chǎn)品型號(hào)之一，主打中端——中高端的消費(fèi)市場，較具代表的就是nVIDIA“7”系列的7600GT。
GS：GS一般用于命名nVIDIA的主打產(chǎn)品，一般可以看作是GT的縮減版，級(jí)別低于GT，較為具代表性的就是7600GS。值得注意的是，采用GS命名的顯卡，其核心架構(gòu)可以和GT一樣，只是在運(yùn)行頻率上落后于GT，但也可以是在核心架構(gòu)上直接縮減，如7600GS的核心架構(gòu)就和7600GT一樣，而8800GS的核心架構(gòu)則比8800GT要有所縮水，我們在選購顯卡時(shí)，要注意區(qū)分開。
LE："Limit Edition"的縮寫，表示限制版本，代表某一產(chǎn)品系列中的低端產(chǎn)品，主要是頻率與標(biāo)準(zhǔn)版本相比有一定的下降。如：7300LE。