目前高通驍龍芯片由臺積電代工，未采用三星3nm工藝。未來是否使用取決于高通與代工廠的合作策略，暫無明確消息表明驍龍將采用三星3nm工藝。
-
-
目前高通驍龍芯片由臺積電代工，未采用三星3nm工藝。短期內無計劃轉向三星3nm，預計將繼續與臺積電合作。
-
臺積電3nm工藝提前公布：FinFET技術引領先進潮流在2020年半導體行業受疫情沖擊的背景下，臺積電憑借其先進的7nm和5nm工藝，業務反而實現了增長。在今天的財報會議上，臺積電首次正式對外揭示了3nm工藝的詳細情況，預計將于2022年下半年開始大規模生產，原定于4月的技術論壇已延期至8月。
盡管3nm研發計劃按部就班，不受疫情影響，臺積電已宣布3nm工藝將在2021年進入風險試產階段，并將沿用FinFET晶體管技術作為首發，以保持成本效益和能效的優勢。面對三星的3nm競爭，三星選擇更為激進的技術路線，采用GAA環繞柵極晶體管，但目前量產時間推遲到2022年。
三星宣稱，3nm工藝相較于7nm FinFET工藝，性能提升30%，能耗減少50%。然而，這是否意味著3nm將成為CPU等芯片的終極工藝，目前尚無定論。隨著技術的逼近，硅基半導體的極限似乎在3nm處，臺積電雖然曾計劃推進到2nm和1nm，但這些仍停留在理論層面，實際應用面臨諸多挑戰。
因此，3nm工藝的到來可能標志著一個技術瓶頸，它可能是未來CPU等芯片性能提升的最后一步。這不僅反映了科技的前沿競爭，也預示著半導體行業對更高效能、更小尺寸工藝的持續探索。 -
利揚芯片在互動平臺稱，公司3nm先進制程工藝的芯片測試方案調試成功，標志著已完成全球第一顆3nm芯片的測試開發，將向量產測試階段有序推進 近期，有媒體報道三星推出全球首款3nm芯片，該芯片系國內公司代工7月7日，投資者在互動平。
最近在IEEE ISSCC國際固態電路大會上， 三星亮出全球首款采用3nm工藝制造的SRAM存儲芯片這款芯片容量可達256GB，面積僅56平方毫米，性能比上一代提升30%，功耗最多可降低50%，不出意外的話明年即可量產三星首秀3nm芯片。
第二其實今年六月份三星終于實現對臺積電的趕超，率先量產3nm的技術，但是三星沒有什么訂單，所以說對市場也不會有什么波瀾，再加上目前的手機市場可以對比的很多，芯片也是夠用的，所以影響并不大第二這個舉動可能在未來。
這樣只會使得制作的芯片更加精準度提升升級系統框架之后，將使得操作工藝更加先進，芯片的精度將會提升。
雖然高通是三星最大的客戶，但高通對三星的3納米工藝，實際上是心存疑慮的但由于高通是三星第一大客戶，三星還是處處為高通留出便利，聲稱高通隨時可以下訂單目前已經有消息稱，本次向三星下訂單的是PanSemi，是中國一個。
不過從近日的消息來看，臺積電和三星兩家企業在量產3nm這件事上進行的都頗為坎坷Gartner 分析師 Samuel Wang表示，3nm 的斜坡將比之前的節點花費更長的時間 近日，一份引用半導體行業消息來源的報告表明，據報道，臺積電在其 3nm 工藝良。
和之前的那些產品相比起來，全新的產品擁有更小的面積，更少的電耗，性能會有更大的提升，在技術層面擁有著重大的意義所以尖端工藝就是把創新技術，直接邁向全球最高的頂點三星和臺積電3nm遇阻，尖端工藝去向何處尖端工。
至于臺積電的3nm工藝，他們為客戶提供了多達五種不同版本，是歷代工藝中最豐富的，包括N3N3PN3SN3XN3E等等，每種3nm工藝的技術優勢也不同現在三星與臺積電的3nm依然不好直接比較，但是決定雙方勝負的并不是技術。
但是，三星的這個3nm芯片，是SRAM存儲芯片，主要是在手機里用，負責手機里的數據存儲而臺積電的芯片，擅長于中央處理器，負責全方位的性能輸出，工藝技術那是更高一籌 而且目前，臺積電計劃在明年，主打3nm芯片，蘋果已經完成了首批訂貨，當2022。
三星3nm芯片將于25日正式對外公布3 三星官方在上個月末宣布，其位于韓國的華城工廠開始生產3nm芯片這是目前半導體制造工藝中最先進的技術，三星也成為了全球唯一一家提供采用下一代全新GAAGateAllAround架構晶體管。 -
2021年、2022年是臺積電與三星競爭最激烈的兩年，一方面在3nm、2nm的領先問題上打得不可開交，另一方面都在堅定地擁護摩爾定律。臺積電南京廠總經理羅鎮求曾經表示：“我們到目前為止看到3nm，看到2nm，看到1nm都沒有什么太大問題。”，如嚴格按照摩爾定律，臺積電應當在2020年第二季度量產5nm，今年6月份就應該看見3nm的量產。三星則更加激進，最近幾年，每隔幾個月就發表一篇論文，聲稱再次突破了摩爾定律的顛覆性技術。但現實是，兩邊的預期都沒有得到兌現。按原計劃，蘋果A16芯片，本應是首批采用臺積電3nm工藝的產品，但是經過幾輪輾轉，蘋果只能選用由5nm工藝改良而來的4nm工藝。三星的情況不太一樣，但似乎比臺積電更糟糕，首批3nm芯片已經進入風險量產階段，但是晶體管密度、功耗、良率都不盡如人意，早期產品則是結構相對簡單的礦機芯片。
-
任何一種工藝都需要發展進步完善，只有不斷提高工藝水平，才能保持產品的競爭力。
-
在上周的美國SFF晶圓代工論壇上，三星發布了新一代的邏輯工藝路線圖，2021年就要量產3nm工藝了，而且首發使用新一代GAA晶體管工藝，領先對手臺積電1年時間，領先Intel公司至少2-3年時間。
除了3nm工藝，實際上三星還準備了其他各種各樣的工藝，從14、10nm節點往下覆蓋到每一個數字上了，未來還要進軍3nm以下的2nm甚至1nm工藝，要挑戰半導體的物理學極限。
這也帶來了另外一個問題，那就是大家對三星的制程工藝感覺很混亂，比如高通的驍龍處理器，用三星代工的就有10nm工藝，還有11nm工藝的，也有8nm工藝的，未來可能還有6nm、5nm工藝的，這些工藝都有什么區別？
Cacdence公司官方博客專欄作家保羅麥克萊倫日前撰文分析了三星的制程工藝，用一張簡潔而且清晰的圖標匯總了三星目前的制程工藝，如下所示：
三星目前的工藝實際上分為四大節點，分別是14nm、10nm、7nm及3nm，每代節點還會有多個衍生版，其中14nm節點有14nm LPE、14nm LPP、14nm LPC、14nm LPU及11nm LPP版本，10nm節點有10nm LPE、10nm LPP、8nm LPP、8nm LPU及尚在開發中的版本。
7nm節點中，三星這一次放棄LPE低功耗，直接進入了7nm LPP（還有EUV光刻工藝輔助）、6nm LPP、5nm LPE、4nm LPE等衍生版。
真正發生重大變革的是3nm節點，因為3nm開始會放棄FinFET轉向GAA晶體管，第一代是3GAE工藝，還有優化版3GAP工藝，后續還在繼續優化改良中。
三星各個工藝的時間點也不同，7nm EUV工藝今年4月份開始量產，下半年開始推6nm工藝，5nm工藝今年4月份完成開發，下半年首次流片，2020年量產。
4nm工藝今年下半年完成開發，而3nm GAE工藝已經發布了1.0版PDK，預期是2021年量產。 -
結論：三星在2021年即將實現3nm工藝的量產，這一突破將帶來性能提升35%、功耗降低50%以及45%芯片面積的減小。三星通過采用全新的GAA晶體管結構，MBCFET技術，旨在超越現有FinFET工藝，尤其是在移動、網絡通訊、汽車電子、AI和IoT等領域具有廣泛應用潛力。在半導體競爭激烈的當下，三星將邏輯工藝代工視為戰略重點。在SFF美國分會上，三星宣布了從7nm到4nm的四種FinFET工藝，其中7nm EUV工藝彌補了先前的落后，計劃在6nm和5nm工藝上緊隨臺積電步伐，預計今年6nm工藝將實現批量生產，而5nm工藝將在2020年量產，與臺積電同步。
三星的3nm工藝，即3GAE，將采用GAA晶體管技術，這將替代FinFET，顯著提升性能。盡管官方未明確量產時間，但2021年是高概率事件。相比于7nm，3GAE工藝在面積、功耗和性能上都有顯著改進，預示著在未來的電子產品中將占據主導地位。
為了盡早讓客戶參與到3GAE工藝的設計中，三星在4月發布了PDK 1.0工藝設計套件，這有助于提升設計效率和競爭力。同時，三星在低功耗FD-SOI工藝上也持續發展，計劃完成18FDS工藝和1Gb eMRAM存儲芯片的后續開發。
-
三星的3nm工藝很快就要量產了，這個時候不少的三星手機用戶很想知道這個工藝多久可以放到驍龍芯片中，下面就帶來了具體的介紹，一起看看三星3nm工藝啥時候上驍龍吧。三星3nm工藝啥時候上驍龍：答：三星3nm工藝可能在2022年年底上驍龍。最新一款驍龍可能被命名為“驍龍8gen2”也是最可能使用3nm工藝的。因此最可芯片可能會攜帶者最新的工藝在2022年的年底來進行投產。三星工藝相關介紹：1、很多的高通驍龍8系列處理器都是通過三星代工的，如驍龍888和驍龍888plus。2、最新的驍龍8gen1也是通過三星代工的，采用的是4nm工藝，因此如果驍龍8gen2上市之后，肯定會使用3nm工藝，而且性能會有大幅度提升。3、這款工藝將會是全球首發，因此獨一無二，因此使用它的芯片也肯定非常有實力。