內(nèi)存主頻跟CPU主頻一樣，是用來表示內(nèi)存速度的，說白了就是這塊內(nèi)存能跑到多高的頻率。單位是MHz，數(shù)值越高一般來說速度就越快。不過這玩意兒只是個上限值，實際跑多少還得看主板給不給面子。為啥？因為內(nèi)存條自己是沒有那個晶振的，工作時的時鐘信號都是主板那邊給的，北橋或者時鐘發(fā)生器直接輸出，所以你插在哪個板子上，就得聽哪個板子的頻率安排。
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可以的
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一樣的，沒什么區(qū)別的，東西是一樣的，叫法不同而已
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要看你是什么主板主板有支持內(nèi)存的限制的.p45一般都不能上ddr3,只有x58或者一部分x48能上ddr3支持ddr3的p45,p35,都是最高支持ddr3nbsp;1066的內(nèi)存.
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DDR3內(nèi)存采用100nm以下的生產(chǎn)工藝，并將工作電壓從1.8V降至1.5V，可以減少30%的功耗，I/O緩沖的電壓也更低，驅(qū)動阻抗也降低了。在工作頻率方面，DDR3內(nèi)存最低將會從800MHz起跳，目前最高能夠達到1600Mhz的速度。由于目前最快的DDR2內(nèi)存已經(jīng)達到800Mhz/1066Mhz的速度，因而在去年的Computex大展上有多個內(nèi)存廠商展出了1333Mhz的DDR3內(nèi)存模組。在性能方面，DDR3內(nèi)存將擁有比DDR2內(nèi)存好很多的帶寬功耗比(Bandwidth per watt)。對比現(xiàn)有DDR2-800產(chǎn)品，DDR3-800、1067及1333的功耗比分別為0.72X、0.83X及0.95X，不但內(nèi)存帶寬大幅提升，功耗表現(xiàn)也比較出色。此外，DDR3內(nèi)存還采用點對點的拓樸架構，以減輕地址/命令與控制總線的負擔。DDR3還增加了一些新特性，增加了異步重置（Reset）與ZQ校準功能，用ZQ阻值來校準數(shù)據(jù)。
相對于DDR2內(nèi)存的4bit預取機制，DDR3內(nèi)存模組最大的改進就是采用了8bit預取機制設計，也就是內(nèi)部同時并發(fā)8位數(shù)據(jù)。在相同Cell頻率下，DDR3的數(shù)據(jù)傳輸率是DDR2的兩倍。這樣DRAM內(nèi)核的頻率只有接口頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz，當DRAM內(nèi)核工作頻率為200MHz時，接口頻率已經(jīng)達到了1600MHz。而當DDR3內(nèi)存技術成熟時，相信有實力的內(nèi)存廠商將推出DDR3-2000甚至2400的頻率更高的內(nèi)存。
雖然內(nèi)存發(fā)展出DDR2、DDR3等很多的類型，但是它們都是基于原始的DRAM單元，基本的DRAM架構仍然是現(xiàn)代內(nèi)存類型的基礎。雖然有很多嘗試希望丟棄這種陳舊的以晶體管為基礎的存儲方式，出現(xiàn)了一些新的存儲技術，如MRAM（MAGnetoreSIStive RAM）、FRAM (Ferroelectric RAM)等，但是它們都沒有獲得足夠的成功。實際上，DRAM是一個晶體管和一個電容的結合體，很簡單也很高效。所有的現(xiàn)代內(nèi)存類型都繼承了DRAM的優(yōu)點和缺點：它需要刷新，以及有操作頻率的上限（這也是用電容充電來存儲數(shù)據(jù)的弊病）。可以說DRAM的頻率發(fā)展總是會面臨著瓶頸，廠商只有在讀取架構上做文章，通過多位預取、并行傳輸來提升內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸率。
2G*2 每條200+ 兩條400+ -
要看用什么u了
普通的四核用1066
i7用1333或1600 -
DDR3 1600好
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