realme搭載天璣9000處理器的機(jī)型，如真我GT Neo3，性能強(qiáng)勁，采用臺(tái)積電4nm工藝，安兔兔跑分超百萬(wàn)，兼顧高性能與低功耗，主打游戲與多任務(wù)體驗(yàn)。

realme搭載天璣9000處理器的機(jī)型，如真我GT Neo3，性能強(qiáng)勁，采用臺(tái)積電4nm工藝，安兔兔跑分超百萬(wàn)，兼顧高性能與低功耗，主打游戲與旗艦體驗(yàn)。

realme搭載天璣9000的機(jī)型如realme GT Neo3，性能強(qiáng)勁，采用臺(tái)積電4nm工藝，安兔兔跑分超100萬(wàn)，兼顧高性能與功耗控制，適合游戲與日常使用。

realme GT Neo3游戲版會(huì)搭載天璣9000處理器。以下是關(guān)于該信息的詳細(xì)解答：

處理器型號(hào)：realme GT Neo3游戲版搭載的是聯(lián)發(fā)科天璣9000處理器。制程工藝：天璣9000處理器采用4nm制程工藝，確保了其強(qiáng)大的性能和能效比。性能表現(xiàn)：作為業(yè)界領(lǐng)先的處理器，天璣9000能夠?yàn)閞ealme GT Neo3游戲版提供出色的性能支持，滿足游戲愛好者對(duì)高性能手機(jī)的需求。發(fā)布日期：鑒于OPPO即將首發(fā)天璣9000，realme GT Neo3游戲版的發(fā)布日期預(yù)計(jì)鎖定在本月末或次月，具體發(fā)布時(shí)間還需關(guān)注官方消息。

realme GT Neo3將于下月發(fā)布，核心配置及特性如下：

處理器性能搭載聯(lián)發(fā)科年度旗艦天璣9000，采用臺(tái)積電4nm工藝制程，最高主頻達(dá)3.0GHz，性能表現(xiàn)強(qiáng)悍，可滿足高負(fù)載任務(wù)需求。

續(xù)航與快充內(nèi)置5000mAh大容量電池，支持125W超快閃充，兼顧長(zhǎng)續(xù)航與快速回血能力，緩解游戲場(chǎng)景下的電量焦慮。

產(chǎn)品定位與設(shè)計(jì)定位為游戲手機(jī)，外觀設(shè)計(jì)炫酷（外媒已曝光渲染圖），延續(xù)前代高性價(jià)比策略。此前發(fā)布的realme GT Neo 2曾首發(fā)金剛石散熱系統(tǒng)，推測(cè)GT Neo 3可能在散熱方案上進(jìn)一步優(yōu)化。

前代技術(shù)延續(xù)參考GT Neo 2的配置，新機(jī)可能保留高性價(jià)比特性，并在散熱、屏幕刷新率等游戲相關(guān)參數(shù)上升級(jí)，具體需以官方發(fā)布為準(zhǔn)。

2 月 5 日消息，realme 今天上午推出了一款千元 5G 新機(jī) realme V11，定價(jià) 1199 元起。

realme V11 的外觀設(shè)計(jì)與整體規(guī)格與此前 OPPO 發(fā)布的 A55 大體一致，正面采用水滴屏設(shè)計(jì)，配備一塊 6.5 英寸、1600 720 分辨率的 LCD 屏（刷新率為 60Hz），采用側(cè)邊電容式指紋識(shí)別；整機(jī)重量 186g，厚度為 8.4mm，可選配色包括靜謐灰和活力藍(lán)兩種。

配置方面，realme V11 搭載聯(lián)發(fā)科天璣 700 SoC（7nm，2 2.2GHz A76，6 2.0GHz A55，Mali-G57 MC2 GPU），支持 5G 雙卡在線，可選 4+128GB 及 6+128GB 規(guī)格（可拓展最高 1TB TF 卡），支持 DRE 動(dòng)態(tài)內(nèi)存拓展技術(shù)；內(nèi)置 5000mAh 容量電池，官方稱待機(jī)時(shí)間可達(dá) 641 小時(shí)，支持 18W 有線快充。

相機(jī)方面，realme V11 后置 1300 萬(wàn)像素、f/2.2 光圈的主攝以及 200 萬(wàn)像素人像攝像頭，相比 OPPO A55 少了一顆 200 萬(wàn)像素微距鏡頭。

售價(jià)方面，realme V11 4+128GB 售 1199 元，6+128GB 售 1399 元，今天起已正式開售。

realme真我GT Neo性能強(qiáng)勁，游戲?qū)崪y(cè)表現(xiàn)良好，天璣1200處理器帶來(lái)出色性能，但在高負(fù)載游戲下能耗偏高。 詳細(xì)分析如下：

處理器性能realme真我GT Neo搭載聯(lián)發(fā)科天璣1200處理器，基于臺(tái)積電6納米先進(jìn)制程工藝制造。CPU采用1+3+4的旗艦級(jí)三叢架構(gòu)設(shè)計(jì)，包含1個(gè)主頻高達(dá)3.0GHz的Arm Cortex-A78超大核，搭配九核GPU和六核MediaTek APU 3.0，以及雙通道UFS 3.1，平臺(tái)性能大幅提升。安兔兔跑分：天璣1200處理器在安兔兔跑分中能夠達(dá)到70萬(wàn)分，整體表現(xiàn)符合其定位。

游戲?qū)崪y(cè)測(cè)試維度：平均幀率、每十分鐘卡頓次數(shù)、每十分鐘嚴(yán)重卡頓次數(shù)和能耗值。對(duì)比機(jī)型：加入搭載驍龍888處理器的魅族18進(jìn)行對(duì)比。90幀《王者榮耀》實(shí)測(cè)測(cè)試條件：特效全開，開啟GT模式（未開啟GT模式時(shí)，《王者榮耀》會(huì)在90幀模式下被系統(tǒng)鎖幀，平均幀率在75fps左右），游戲時(shí)長(zhǎng)約12分鐘。realme真我GT Neo表現(xiàn)：

平均幀率為89fps。

每十分鐘卡頓次數(shù)為5.0。

平均每十分鐘嚴(yán)重卡頓次數(shù)為4.2。

能耗值為5390。

游戲流暢性表現(xiàn)出色，機(jī)身沒有明顯發(fā)熱，但能耗值偏高。

在12分鐘的游戲時(shí)長(zhǎng)內(nèi)幀率非常平滑，高負(fù)載壓力下，畫面內(nèi)多個(gè)人物釋放技能都沒有出現(xiàn)明顯卡頓掉幀。

魅族18表現(xiàn)：搭載驍龍888處理器的魅族18，驍龍888的能耗值要比聯(lián)發(fā)科天璣1200低，整體游戲表現(xiàn)優(yōu)于realme真我GT Neo。

《和平精英》流暢極限模式實(shí)測(cè)測(cè)試條件：realme真我GT Neo未適配90幀模式，采用流暢極限模式，游戲時(shí)長(zhǎng)約30分鐘。realme真我GT Neo表現(xiàn)：

平均幀率為59.8fps。

平均每十分鐘卡頓次數(shù)為1.0。

平均每十分鐘嚴(yán)重卡頓次數(shù)為0.3。

能耗值為2893.5。

對(duì)比vivo S9表現(xiàn)：

vivo S9搭載聯(lián)發(fā)科天璣1100處理器。

平均幀率為59.5fps。

平均每十分鐘卡頓次數(shù)為1.0。

平均每十分鐘嚴(yán)重卡頓次數(shù)為0.0。

能耗值為2421.9。

realme真我GT Neo與vivo S9在相同模式下的《和平精英》表現(xiàn)幾乎相同，但能耗值前者高于后者，能耗表現(xiàn)來(lái)看，聯(lián)發(fā)科天璣1100更具優(yōu)勢(shì)。

極限模式60幀《原神》實(shí)測(cè)測(cè)試條件：游戲時(shí)長(zhǎng)約30分鐘。realme真我GT Neo表現(xiàn)：

平均幀率46.9fps。

平均每十分鐘卡頓次數(shù)是81.1。

平均每分鐘嚴(yán)重卡頓次數(shù)均在62.3。

能耗值5442.9。

機(jī)身發(fā)熱控制方面表現(xiàn)不錯(cuò)，但是能耗值偏高，高性能帶來(lái)的高能耗無(wú)法避免。

對(duì)比vivo S9表現(xiàn)：

聯(lián)發(fā)科天璣1100平均幀率44.8fps。

平均每十分鐘卡頓次數(shù)是65.0。

平均每分鐘嚴(yán)重卡頓次數(shù)是43.3。

能耗值4760.5。

realme真我GT Neo搭載的聯(lián)發(fā)科天璣1200與vivo S9搭載的聯(lián)發(fā)科天璣1100在極限畫質(zhì)下《原神》表現(xiàn)幾乎相同，前者能耗值高于后者。如果想要較為完美的游戲體驗(yàn)，建議將畫質(zhì)調(diào)至到“中”，然后開啟60幀率模式。

聯(lián)發(fā)科4nm旗艦芯“天璣9000”首批搭載廠商包括vivo、realme、小米、OPPO、三星、摩托羅拉、一加。

芯片基本信息：天璣9000采用臺(tái)積電4nm工藝打造，安兔兔跑分突破100萬(wàn)，后臺(tái)發(fā)現(xiàn)的跑分成績(jī)總分為1007396分，據(jù)傳為Redmi某款機(jī)型跑分。此前有消息稱小米R(shí)edmi將首發(fā)該芯片，但從實(shí)際情況看Redmi來(lái)不及首發(fā)，新機(jī)上市要晚一點(diǎn)。性能提升情況：

CPU性能：在全新超大核的幫助下，天璣9000性能提升35%，功效提升37%。

GPU性能：使用Arm最新的Mali - G710核心，性能提升了35%，功效提升了60%。

市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)展望：時(shí)隔多年聯(lián)發(fā)科再次殺回旗艦芯片領(lǐng)域，天璣9000能否超越驍龍898（暫定名）成為新一代“真香”芯片暫無(wú)法確定，其具體發(fā)布和上市時(shí)間也暫時(shí)未知。不過(guò)從目前公布的參數(shù)和跑分來(lái)看，天璣9000具備很強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力，在工藝制程、性能和功效提升等方面表現(xiàn)出色，眾多手機(jī)廠商的搭載也為其市場(chǎng)推廣提供了有力支持，后續(xù)表現(xiàn)值得期待。

realme GT Neo3作為一款專為游戲打造的電競(jìng)手機(jī)，核心配置和設(shè)計(jì)亮點(diǎn)如下：

處理器性能：搭載聯(lián)發(fā)科旗艦級(jí)天璣9000芯片，采用臺(tái)積電4nm制程工藝，CPU架構(gòu)為1顆3.05GHz Cortex-X2超大核+3顆2.85GHz A710大核+4顆1.8GHz A510小核，GPU為Mali-G710 MC10。該芯片在安兔兔V9版本中跑分突破百萬(wàn)，性能表現(xiàn)接近驍龍8 Gen1，但能效比更優(yōu)，可流暢運(yùn)行《原神》等大型手游。

圖：realme GT Neo3背板設(shè)計(jì)融合賽博朋克元素，科技感強(qiáng)烈

續(xù)航與快充：內(nèi)置5000mAh大容量電池，支持125W有線快充。根據(jù)realme實(shí)驗(yàn)室數(shù)據(jù)，125W快充可在15分鐘內(nèi)將電池從0充至100%，充電效率顯著優(yōu)于Redmi K50電競(jìng)版的67W快充方案。同時(shí)，電池采用雙電芯串聯(lián)設(shè)計(jì)，兼顧充電速度與安全性。

電競(jìng)專屬配置：

物理肩鍵：機(jī)身側(cè)邊配備兩顆獨(dú)立觸控肩鍵，支持按鍵映射功能，可自定義設(shè)置為開鏡、射擊等游戲操作，提升操控精準(zhǔn)度。

散熱系統(tǒng)：雖未公布具體散熱方案，但參考前代GT Neo2的金剛石冰芯散熱系統(tǒng)，預(yù)計(jì)將采用多層立體散熱結(jié)構(gòu)，覆蓋核心發(fā)熱區(qū)域，確保長(zhǎng)時(shí)間游戲不降頻。

屏幕素質(zhì)：雖未明確屏幕參數(shù)，但作為電競(jìng)機(jī)型，大概率會(huì)延續(xù)高刷新率屏幕（如120Hz或更高），并支持觸控采樣率優(yōu)化，減少操作延遲。

市場(chǎng)定位與競(jìng)爭(zhēng)分析：

直接競(jìng)品：與Redmi K50電競(jìng)版形成直接競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系。K50電競(jìng)版搭載驍龍8 Gen1處理器，支持120W快充，但電池容量為4700mAh，且缺少物理肩鍵設(shè)計(jì)。realme GT Neo3在續(xù)航和操控體驗(yàn)上更具優(yōu)勢(shì)。

價(jià)格預(yù)期：參考GT Neo2系列定價(jià)策略（起售價(jià)約2000-2500元），GT Neo3預(yù)計(jì)將維持中端價(jià)位，通過(guò)天璣9000的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)沖擊市場(chǎng)。

發(fā)布時(shí)機(jī)：2022年2月電競(jìng)手機(jī)市場(chǎng)集中發(fā)布新品（如紅魔7、Redmi K50電競(jìng)版），realme選擇此時(shí)曝光GT Neo3，旨在搶占開年電競(jìng)手機(jī)市場(chǎng)熱度。

前代產(chǎn)品表現(xiàn)：GT Neo2系列憑借驍龍870處理器、5000mAh電池+65W快充組合，以及1899元起的定價(jià)策略，成為2021年下半年中端市場(chǎng)銷量黑馬。GT Neo3在延續(xù)性價(jià)比路線的同時(shí)，通過(guò)升級(jí)處理器、快充和電競(jìng)功能，有望進(jìn)一步鞏固市場(chǎng)地位。

總結(jié)：realme GT Neo3以天璣9000芯片為核心，通過(guò)大電池+高功率快充的續(xù)航組合、物理肩鍵等電競(jìng)專屬配置，形成對(duì)Redmi K50電競(jìng)版的差異化競(jìng)爭(zhēng)。若最終定價(jià)合理，將成為2022年中端電競(jìng)手機(jī)市場(chǎng)的重要選手。